STH140N8F7-2

STH140N8F7-2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于先进的STripFET VII产品系列。该器件采用H2PAK-2表面贴装封装，核心特性在于其优异的电气性能平衡，旨在为高功率密度应用提供高效的解决方案。

其技术规格突出表现为高电流处理能力与低损耗的结合。器件在壳温条件下支持高达90A的连续漏极电流和200W的功率耗散，同时，在10V栅极驱动下，导通电阻（R_DS(on)）典型值低至4毫欧（@45A），这显著降低了传导损耗。此外，其栅极电荷（Q_g）典型值为96nC，有助于优化开关性能，减少开关损耗。

凭借80V的漏源电压（V_DSS）和宽泛的工作结温范围（-55°C至175°C），该器件为同步整流、电机驱动、DC-DC转换及各类电源系统提供了可靠且高效的功率开关选择。

• 型号:STH140N8F7-2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:H2PAK-2
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 80V 90A H2PAK-2
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:80 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):90A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4 毫欧 @ 45A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:96 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6340 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:200W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:H2PAK-2
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• 现在可以订购STH140N8F7-2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。