IRF540技术参数详情：
IRF540是ST意法半导体STripFET II系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。其核心卖点在于平衡的高性能参数：具备100V的漏源电压（Vdss）和高达22A（Tc）的连续漏极电流处理能力，适用于中等功率应用。
该器件的突出优势在于其优异的导通特性，在10V Vgs、11A Id条件下导通电阻（Rds(on)）最大值仅为77毫欧，能显著降低导通状态下的功率损耗。同时，最大41nC的栅极电荷（Qg）和870pF的输入电容（Ciss）有利于实现快速的开关切换，并简化驱动电路设计。
其宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 175°C）和85W（Tc）的功率耗散能力，确保了在多种环境下的可靠性与稳定性，适合用于开关电源、电机驱动及功率转换等场合。
- 型号:IRF540
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:77 毫欧 @ 11A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:870 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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