STW29NK50ZD技术参数详情：
STW29NK50ZD是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能SuperMESH产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心额定参数为500V漏源电压（Vdss）和29A连续漏极电流，具备强大的高压阻断与电流承载能力。
其技术优势体现在极低的导通电阻（130毫欧 @ 14.5A，10V）与优化的栅极电荷（200nC @ 10V），这共同确保了在开关电源等应用中实现更低的传导与开关损耗，从而提升整体能效。高达350W的功率耗散能力与宽泛的工作结温范围（-55°C ~ 150°C），进一步保障了其在严苛功率环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:STW29NK50ZD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 500V 29A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:500 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):29A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 14.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:200 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6450 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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