IRF630技术参数详情：
IRF630是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB通孔封装。其核心电气参数包括200V的漏源电压（Vdss）和9A的连续漏极电流（Id），为中等功率应用提供了充足的电压与电流裕量。
该器件的关键优势在于其优异的导通与开关特性。其导通电阻（Rds(On)）在10V Vgs下典型值仅为400毫欧，有助于降低导通损耗。同时，45nC的最大栅极电荷（Qg）确保了较快的开关速度，有利于提升高频开关电源等应用的效率。75W的功率处理能力和宽工作温度范围（-65°C ~ 150°C TJ）进一步保障了其在各种环境下的稳定运行。
- 型号:IRF630
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:75W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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