STB11NM60T4技术参数详情：
STB11NM60T4是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用MDmesh技术和D2PAK表面贴装封装。其核心卖点在于650V的高耐压与11A连续电流处理能力的结合，同时通过450毫欧的低导通电阻（@10V，5.5A）与仅30nC的低栅极电荷（@10V），实现了导通损耗与开关损耗的优化平衡。
该器件设计用于提升功率转换系统的效率与功率密度。其160W（Tc）的功率耗散能力与-65°C至150°C的宽工作结温范围，确保了在高负载和恶劣温度环境下的可靠运行。这些特性使其成为开关电源、电机驱动及工业逆变器等高压、高效率应用的理想选择。
- 型号:STB11NM60T4
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:D2PAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:450 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:D2PAK
- 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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