IRF630FP技术参数详情：
IRF630FP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220FP通孔封装，隶属于MESH OVERLAY II产品系列。其核心电气参数包括200V的漏源电压(Vdss)和9A的连续漏极电流(Id)，能够处理中高功率级别的应用。
该器件的关键优势在于其优异的导通特性，在10V栅极驱动下导通电阻(Rds(on))典型值仅为400毫欧，有助于显著降低导通状态下的功率损耗。同时，其最大栅极电荷(Qg)为45nC，较低的开关损耗使其适合用于要求一定开关频率的功率转换电路。器件工作结温范围为-65°C至150°C，确保了宽温环境下的可靠性。
- 型号:IRF630FP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:200 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 4.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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