IRF820

IRF820是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装，隶属于其高性能PowerMESH II产品系列。该器件核心特性在于其500V的高耐压（Vdss）和4A的连续漏极电流（Id）能力，为高压功率应用提供了坚实的基础。

其技术优势体现在优化的动态与静态参数上：最大仅3欧姆的导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，而低至17nC的栅极电荷（Qg）则支持快速的开关速度，有利于提升系统效率和工作频率。器件设计可承受80W的功率耗散，最高结温达150°C，确保了在苛刻环境下的稳定运行。

• 型号:IRF820
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:315 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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