STF7N60M2技术参数详情：
STF7N60M2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh II Plus产品系列。该器件核心优势在于其600V的高漏源电压额定值，结合仅为950毫欧的低导通电阻（@10V， 2.5A），为高压应用提供了优异的导通性能与效率基础。
其技术特性包括5A的连续漏极电流能力、低至8.8nC的栅极电荷以及宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）。这些参数共同确保了器件在开关电源和电机控制等应用中，能够实现快速开关、低损耗和可靠运行。器件采用TO-220FP通孔封装，便于散热管理，适用于对功率密度和热性能有要求的工业级设计。
- 型号:STF7N60M2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 2.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.8 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:271 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 现在可以订购STF7N60M2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
