IRFP250

IRFP250是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装，属于其PowerMESH II技术系列。该器件核心参数包括200V的漏源电压（Vdss）和33A的连续漏极电流（Id），能够胜任中高功率级别的开关与控制任务。

其关键优势在于优异的导通性能，在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）低至85毫欧（@16A），这显著降低了导通状态下的功率损耗。同时，158nC的栅极电荷（Qg）和2850pF的输入电容（Ciss）有助于实现高效的开关速度，平衡了开关损耗与EMI性能。器件支持高达150°C的结温工作，最大功耗为180W，具备良好的热可靠性，适用于要求严苛的工业环境。

• 型号:IRFP250
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 33A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:158 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2850 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
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