STGYA120M65DF2技术参数详情：
STGYA120M65DF2是意法半导体M系列中的一款650V、160A沟槽栅场截止型IGBT。该器件集成了非穿通型（NPT）工艺，旨在提供优异的导通与开关损耗平衡。
其核心电气参数表现突出：在120A工作电流下，最大饱和压降仅为1.95V，有助于降低导通损耗；同时，其总开关能量较低，栅极电荷为420nC，支持快速、高效的开关操作。器件采用TO-247-3封装，工作结温范围覆盖-55°C至175°C，确保了在苛刻环境下的高可靠性，适用于电机驱动、逆变器及电源等高性能功率转换系统。
- 型号:STGYA120M65DF2
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:MAX247
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
- 描述:IGBT NPT FS 650V 160A MAX247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- IGBT 类型:NPT，沟槽型场截止
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:160 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm):360 A
- 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:1.95V @ 15V，120A
- 功率 - 最大值:625 W
- 开关能量:1.8mJ（导通），4.41mJ（关断）
- 输入类型:标准
- 栅极电荷:420 nC
- 25°C 时 Td（开/关）值:66ns/185ns
- 测试条件:400V，120A，4.7 欧姆，15V
- 反向恢复时间 (trr):202 ns
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-247-3 焊盘
- 供应商器件封装:MAX247
- 现在可以订购STGYA120M65DF2，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
