L6221CD013TR技术参数详情：
L6221CD013TR是ST意法半导体生产的一款四通道NPN达林顿晶体管阵列，集成于20-SOIC表面贴装封装中。该器件集成了四个独立的高增益达林顿对，每个通道可承受高达60V的集射极电压并提供1.2A的连续集电极电流输出能力，专为驱动继电器、螺线管、直流电机及LED阵列等感性或阻性负载而优化。
其核心优势在于高集成度与驱动简便性，达林顿结构确保了仅需微控制器级别的逻辑信号即可有效控制较大负载，同时内部集成的续流二极管简化了针对感性负载的反电动势保护电路。宽工作结温范围（-40°C至150°C）使其能够适应苛刻的工业与汽车电子环境，是一款适用于多路中功率开关控制应用的经典集成解决方案。
- 型号:L6221CD013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:20-SO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列
- 描述:TRANS 4NPN DARL 60V 1.2A 20-SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 晶体管类型:4 NPN 达林顿（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:1.2A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）:60V
- 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:-
- 电流 - 集电极截止（最大值）:-
- 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:-
- 功率 - 最大值:-
- 频率 - 跃迁:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:20-SOIC（0.295，7.50mm 宽）
- 供应商器件封装:20-SO
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