STP100N6F7技术参数详情：
STP100N6F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的STripFET F7产品系列。该器件采用TO-220封装，核心优势在于其卓越的电气性能组合，旨在为60V电压等级的应用提供高效率的功率开关解决方案。
其技术亮点包括高达100A（Tc）的连续漏极电流处理能力，以及在10V驱动下低至5.6毫欧的导通电阻，这显著降低了传导损耗。同时，优化的30nC栅极电荷确保了快速的开关速度和较低的驱动损耗。这些参数共同使其成为要求高电流、低损耗和高开关频率应用的理想选择，例如电机驱动和开关电源。
器件支持-55°C至175°C的宽工作结温范围，最大功率耗散为125W（Tc），具备良好的热性能和可靠性，适用于工业控制、汽车电子及电源转换等多种严苛环境。
- 型号:STP100N6F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 60V 100A TO220
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.6 毫欧 @ 50A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1980 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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