L6384D013TR技术参数详情：
L6384D013TR是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装。该器件集成了高压侧和低压侧两个同步驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT而优化，可承受高达600V的自举电压，适用于严酷的工业环境。
其核心优势在于强大的驱动能力和快速的开关速度。器件可提供650mA拉电流和400mA灌电流的峰值输出，配合典型的50ns上升和30ns下降时间，能有效降低功率开关管的开关损耗。输入逻辑兼容反相信号，具有明确的1.5V/3.6V阈值，增强了抗干扰性。工作电源电压范围为14.6V至16.6V，并支持-45°C至125°C的宽结温范围，确保了系统的稳定与可靠。
- 型号:L6384D013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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