STL120N2VH5

STL120N2VH5是ST意法半导体生产的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能STripFET V产品系列。该器件采用表面贴装式PowerFlat（5x6）封装，额定漏源电压为20V，在25°C壳温条件下可连续通过高达120A的电流。

其核心卖点在于极低的功率损耗，具体表现为在4.5V栅极驱动下导通电阻最大值仅为3毫欧，以及较低的栅极电荷（29nC @ 2.5V）。这些特性使其非常适用于需要高效率和高功率密度的低压、大电流开关应用，如同步整流和电机驱动。器件的工作结温范围为-55°C至150°C，确保了在苛刻环境下的可靠性。

• 型号:STL120N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 毫欧 @ 14A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 2.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4660 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
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