L6384ED013TR技术参数详情：
L6384ED013TR是ST意法半导体推出的一款有源半桥栅极驱动器，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计，提供两个同步驱动通道，支持高达600V的自举电压，并具备400mA灌入与650mA拉出的峰值输出电流能力，确保功率开关管的快速、可靠导通与关断。
其工作电压范围为14.6V至16.6V，逻辑输入兼容反相控制，阈值明确。快速的开关特性（典型上升/下降时间为50ns/30ns）有助于降低开关损耗，提升系统效率。结合-45°C至125°C的宽工作结温范围，使其成为工业电源、电机控制和功率逆变器等高压、高频应用的理想驱动核心。
- 型号:L6384ED013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:14.6V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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