STW24N60M6技术参数详情：
STW24N60M6是ST意法半导体推出的一款N沟道高压功率MOSFET，隶属于其先进的MDmesh M6产品系列。该器件采用TO-247通孔封装，核心参数包括600V的漏源电压（Vdss）和在25°C结温下17A的连续漏极电流（Id）能力。
其技术核心在于MDmesh M6平台，该技术通过优化内部结构，在确保高电压阻断能力的同时，实现了导通电阻与栅极电荷之间的出色平衡。这一特性使其成为高效率、高频率开关电源设计的理想选择，旨在降低系统的开关损耗和导通损耗，从而提升整体能效和功率密度。
- 型号:STW24N60M6
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V TO247
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tj）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:-
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:-
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- Vgs（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:-
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:-
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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