L6385D技术参数详情：
L6385D是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器集成电路，采用8-SOIC封装。该器件集成了两个独立通道，可分别驱动半桥结构中的高侧与低侧IGBT或N沟道MOSFET，其高侧驱动部分最高可承受600V电压，并内置自举二极管，简化了高压侧供电设计。
它具备强大的驱动能力，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，结合典型的50ns上升时间和30ns下降时间，能够实现功率开关器件的快速、高效切换，有助于降低开关损耗并提升系统效率。其逻辑输入为反相设计，兼容CMOS/TTL电平，工作温度范围覆盖-40°C至150°C，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:L6385D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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