L6385E技术参数详情：
L6385E是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器，采用8-DIP通孔封装。该器件集成了两个独立驱动通道，专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT，其高侧驱动通过自举电路可支持最高600V的电压偏移，极大简化了高压侧电源设计。
其核心性能参数突出，具备650mA拉电流和400mA灌电流的峰值输出能力，结合50ns（典型）的快速上升时间，能够有效降低开关损耗并抑制误导通。器件工作结温范围宽达-40°C至150°C，逻辑输入兼容反相信号，阈值设计增强了抗干扰性，适用于要求高可靠性的工业功率控制场景。
- 型号:L6385E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-DIP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-DIP
- 现在可以订购L6385E，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
