STD15N60M2-EP技术参数详情：
STD15N60M2-EP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用表面贴装型DPAK封装，核心额定参数为600V漏源电压和11A连续漏极电流，专为高效、高可靠性的功率开关应用而设计。
其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。在10V栅极电压下，其导通电阻最大值仅为378毫欧，有助于降低传导损耗。同时，较低的栅极电荷（17nC @ 10V）和输入电容确保了快速的开关特性，从而有效控制开关损耗。这些特性使其在-55°C至150°C的宽结温范围内，能够稳定工作在要求严苛的工业环境中。
- 型号:STD15N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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