L6385ED技术参数详情：
L6385ED是ST意法半导体生产的一款半桥栅极驱动器集成电路，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立通道，可驱动IGBT或N沟道MOSFET，其高压侧采用自举供电，最高可承受600V电压，简化了高压半桥电路的设计。
其技术参数体现了卓越的驱动性能，峰值拉电流和灌电流分别达到650mA和400mA，结合仅50ns和30ns的典型开关时间，确保了功率器件的高速、低损耗开关。器件兼容1.5V至3.6V的逻辑输入电平，工作结温范围覆盖-40°C至150°C，具备高度的设计灵活性与环境适应性，适用于要求严苛的工业与汽车电子应用。
- 型号:L6385ED
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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