STW30NM60D技术参数详情：
STW30NM60D是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用TO-247-3封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）与30A连续漏极电流（Id），具备处理中高功率等级的能力。
其技术优势主要体现在优异的开关性能与低损耗特性上。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为145毫欧 @ 15A，有效降低了通态损耗。同时，最大115nC的栅极总电荷（Qg）有助于实现更快的开关速度和更低的驱动损耗。这些参数共同确保了其在频繁开关应用中的高效率与低发热。
该器件设计用于要求高可靠性与高效能的功率转换场景，如开关电源、电机驱动及不间断电源（UPS）系统。尽管产品状态标注为停产，但其参数组合仍代表了该电压等级下功率MOSFET的经典性能水平。
- 型号:STW30NM60D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:145 毫欧 @ 15A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2520 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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