L6386D013TR技术参数详情：
L6386D013TR是ST意法半导体的一款高压半桥栅极驱动器，采用14-SOIC表面贴装封装。该器件设计用于驱动IGBT和N沟道MOSFET，其高压侧可承受最高600V的电压，并集成了自举二极管，简化了高压浮动电源设计。
它提供高达650mA（拉出）和400mA（灌入）的峰值驱动电流，配合50ns（典型上升）和30ns（典型下降）的快速开关时间，能有效降低开关损耗，提升系统效率。其工作电压最高17V，逻辑输入兼容反相信号，并具备宽泛的-40°C至150°C工作结温范围，确保在苛刻环境下的可靠性，适用于电机控制、电源转换等应用。
- 型号:L6386D013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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