STL4P3LLH6

STL4P3LLH6是ST意法半导体生产的一款P沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET H6和DeepGATE技术的产品系列。该器件在30V的漏源电压(Vdss)下可提供4A的连续电流，其关键优势在于极低的导通损耗，在10V Vgs条件下导通电阻(Rds(on))最大值仅为56毫欧。

此外，该器件具备优异的开关特性，其栅极电荷(Qg)低至6nC，有助于实现高效率的功率转换。它采用热性能出色的PowerFlat (2x2)表面贴装封装，支持高达2.4W的功耗和150°C的结温，为高密度、高可靠性的电源管理应用提供了紧凑而高效的解决方案。

• 型号:STL4P3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:56 毫欧 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:639 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Ta）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
• 现在可以订购STL4P3LLH6，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。