L6387E技术参数详情：
L6387E是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器，采用8-DIP封装。该器件集成了两个独立驱动通道，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计，其高压侧可承受最高600V电压，并采用自举供电架构，简化了高压半桥电路的驱动设计。
该驱动器具备优异的开关性能，典型上升/下降时间分别为50ns和30ns，并提供了400mA（灌）和650mA（拉）的峰值输出电流，确保功率器件的高速、可靠开关。其逻辑输入兼容常见的3.3V/5V控制系统，工作温度范围覆盖-45°C至125°C，适用于要求严苛的工业环境。
- 型号:L6387E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-DIP
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.5V，3.6V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:50ns，30ns
- 工作温度:-45°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:8-DIP（0.300，7.62mm）
- 供应商器件封装:8-DIP
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