L6388D013TR技术参数详情：
L6388D013TR是ST意法半导体生产的一款高压半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件集成了两个独立通道，可分别驱动半桥结构中的高侧与低侧IGBT或N沟道MOSFET，其高压侧最高可承受600V的浮动电压，并支持高达17V的驱动供电电压。
其核心优势在于强大的驱动性能与快速的开关速度。器件提供650mA拉电流和400mA灌电流的峰值输出能力，结合典型值70ns（上升）和40ns（下降）的开关时间，能有效降低功率管的开关损耗。其反相输入逻辑兼容常见的控制信号，且具备宽达-40°C至125°C的工作结温范围，确保了在工业级应用中的稳定性和可靠性。
- 型号:L6388D013TR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:17V（最大）
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
- 输入类型:反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
- 现在可以订购L6388D013TR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
