L6393D技术参数详情：
L6393D是ST意法半导体推出的一款高性能半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC封装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET而优化。其核心优势在于集成了高压侧（最高600V）与低压侧同步驱动通道，并内置自举二极管，极大简化了外围电路设计。
该器件提供高达430mA（拉出）和290mA（灌入）的峰值驱动电流，结合75ns和35ns的典型快速开关时间，能够有效降低功率器件的开关损耗，提升系统效率。其宽电源电压范围（10V-20V）、宽工作温度范围（-40°C至125°C）以及良好的逻辑电平兼容性，确保了其在工业电源、电机控制等严苛应用环境中的稳定性和可靠性。
- 型号:L6393D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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