STD5N80K5

STD5N80K5是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh产品系列。该器件采用表面贴装DPAK封装，核心规格为800V漏源电压（Vdss）与4A连续漏极电流（Id），专为高压开关应用而优化。

其技术优势体现在优异的动态与静态性能平衡上。器件具备低至1.75欧姆的导通电阻（Rds(on)），有效降低了导通损耗。同时，极低的栅极电荷（5nC）和输入电容确保了快速的开关速度和较低的驱动需求，有助于提升系统整体效率并简化驱动电路设计。

结合其-55°C至150°C的宽工作结温范围和60W的功率处理能力，STD5N80K5为开关电源、PFC及工业电源等应用提供了一个可靠且高效的高压开关解决方案。

• 型号:STD5N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.75 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:177 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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