L6395DTR技术参数详情：
L6395DTR是ST意法半导体生产的一款有源、表面贴装型半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用8-SOIC封装，提供卷带或剪切带包装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，适用于高压离线式应用。
其核心特性包括高达600V的高压侧耐压能力、10V至20V的宽驱动供电电压范围，以及290mA（灌入）和430mA（拉出）的强劲峰值输出电流，配合75ns和35ns的典型快速开关时间，确保了功率器件的高效、可靠切换。器件支持1.1V/1.9V的逻辑电平输入，便于与低压控制器直接连接，并可在-40°C至150°C的结温范围内稳定工作。
- 型号:L6395DTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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