STP9NK60ZFP技术参数详情：
STP9NK60ZFP是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于高性能的SuperMESH产品系列。该器件采用TO-220FP绝缘封装，核心规格为600V漏源电压（Vdss）和7A连续漏极电流（Tc），为高压开关应用提供了坚实的基础。
其技术亮点在于优异的动态性能与低损耗特性。在10V栅极驱动下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为950毫欧，有效降低了通态损耗。同时，极低的栅极电荷（Qg，最大值53nC）和输入电容（Ciss）确保了快速的开关速度，有助于提升系统效率和工作频率。这些特性使其成为开关电源、电机驱动和功率转换电路中高效功率开关的理想选择。
- 型号:STP9NK60ZFP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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