L6399DTR技术参数详情：
L6399DTR是ST意法半导体推出的一款半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC封装，专为驱动N沟道MOSFET和IGBT设计。其核心优势在于集成了高压侧自举电路，支持高达600V的浮地电压，并提供了拉出430mA、灌入290mA的强劲峰值驱动电流，配合75ns/35ns的快速开关特性，能显著优化功率器件的开关性能与效率。
该器件工作电压范围宽（10V-20V），逻辑输入兼容性强（VIL/VIH: 1.1V/1.9V），并具备欠压锁定保护。其宽工作温度范围（-40°C至125°C）和表面贴装形式，确保了在工业级电源管理、电机驱动等应用中的高可靠性与易用性。
- 型号:L6399DTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.9V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:290mA，430mA
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:75ns，35ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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