STP4NK60Z技术参数详情：
STP4NK60Z是ST意法半导体基于SuperMESH技术制造的N沟道功率MOSFET，采用TO-220AB封装。该器件核心优势在于其600V的高漏源耐压与仅2欧姆（@10V，2A）的低导通电阻，这确保了其在高压开关应用中兼具出色的电气隔离能力和高效的功率传输性能。
器件具备4A的连续漏极电流能力和70W（Tc）的功率耗散能力，支持高达150°C的结温工作。其栅极电荷（Qg）低至26nC，输入电容（Ciss）为510pF，这些特性共同促成了快速的开关速度与较低的驱动损耗，适用于要求高效率与高可靠性的功率开关场景。
- 型号:STP4NK60Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 4A TO220AB
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:510 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220
- 封装/外壳:TO-220-3
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