L6491DTR技术参数详情：
L6491DTR是ST意法半导体生产的一款有源半桥栅极驱动器IC，采用14-SOIC表面贴装封装，适用于卷带或剪切带包装的自动化生产。该器件专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计，提供独立的半桥驱动通道。
其核心优势在于高达4A的对称峰值输出电流与仅15ns的快速开关速度，能有效优化功率器件的开关性能，降低损耗。器件支持10V至20V的宽供电范围，逻辑接口兼容性强，并具备600V的高压侧自举能力和-40°C至125°C的宽工作结温范围，确保了在高压、高频及恶劣温度环境下的高可靠性与设计灵活性。
- 型号:L6491DTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:独立式
- 驱动器数:-
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:4A，4A
- 输入类型:非反相
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:15ns，15ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
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