STD70N03L技术参数详情：
STD70N03L是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，采用STripFET III技术和DPAK表面贴装封装。该器件核心优势在于其极低的导通电阻，在10V Vgs和35A Id条件下典型值仅为7.3毫欧，以及高达70A的连续漏极电流处理能力，这使其在功率开关应用中能有效降低传导损耗，提升系统效率。
此外，其21nC的低栅极电荷（@5V Vgs）确保了快速的开关性能，减少开关损耗，适用于高频开关场景。器件支持30V的漏源电压和宽达-55°C至175°C的结温工作范围，提供了可靠的性能保障。这些特性使其成为同步整流、电机驱动和电源管理等应用的理想选择。
- 型号:STD70N03L
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 30V 70A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:30 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:7.3 毫欧 @ 35A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 5 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2200 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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