L6494LDTR技术参数详情：
L6494LDTR是ST意法半导体生产的一款有源半桥栅极驱动器IC，属于电源管理IC产品线。该器件采用14-SOIC封装，提供卷带或剪切带包装，专为驱动IGBT和N沟道MOSFET设计。
其核心特性包括双通道同步驱动、10V至20V的宽供电电压范围，以及兼容CMOS/TTL的输入逻辑。该驱动器具备优异的开关性能，峰值输出电流达2.5A（拉）和2A（灌），典型上升/下降时间仅为25ns，可有效优化开关损耗。其高端驱动支持最高500V的自举电压，并能在-40°C至125°C的结温范围内稳定工作，适用于高要求的工业电源与电机控制应用。
- 型号:L6494LDTR
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:14-SO
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SO
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 20V
- 逻辑电压- VIL，VIH:1.45V，2V
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:2A，2.5A
- 输入类型:CMOS/TTL
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:500 V
- 上升/下降时间（典型值）:25ns，25ns
- 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:14-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:14-SO
- 现在可以订购L6494LDTR，国内库存当天发货，国外库存7-10天内发货。
