PD84006-E技术参数详情：
PD84006-E是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS功率晶体管，采用PowerSO-10带裸露焊盘封装，专为高频、高功率射频放大应用设计。
该器件在870MHz工作频率下，于7.5V电压条件可提供6W的射频输出功率，并具备15dB的高增益特性，能有效提升信号驱动能力。其额定电压达25V，连续漏极电流为5A，确保了在严苛工作环境下的高可靠性和稳健性。
综合其高功率增益、良好的热管理封装以及中功率处理能力，PD84006-E是专业移动通信、无线基础设施等要求高性能和稳定性的射频功率放大电路的理想器件选择。
- 型号:PD84006-E
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:10-PowerSO
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 7.5V POWERSO10
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:870MHz
- 增益:15dB
- 电压 - 测试:7.5 V
- 额定电流（安培）:5A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:150 mA
- 功率 - 输出:6W
- 电压 - 额定:25 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘
- 供应商器件封装:10-PowerSO
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