L6571B技术参数详情：
L6571B是ST意法半导体推出的一款有源半桥栅极驱动器IC，采用8引脚MiniDIP通孔封装。该器件设计用于驱动N沟道MOSFET或IGBT，构成高压半桥功率级，其高压侧自举架构最高可承受600V电压，显著简化了高压驱动的电源设计。
其核心特性包括采用抗干扰能力强的RC输入电路，以及提供170mA（灌）和270mA（拉）的峰值输出电流，确保功率开关的快速、可靠导通与关断。器件工作在10V至16.6V的宽电源电压范围，并支持-40°C至150°C的结温，使其能够稳定应对严苛的工业环境挑战，是电子镇流器、开关电源和电机驱动等应用的理想驱动解决方案。
- 制造商产品型号：L6571B
- 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDG 8MINIDIP
- 产品系列：电源管理IC - 栅极驱动器
- 包装：管件
- 系列：-
- 零件状态：有源
- 驱动配置：半桥
- 通道类型：同步
- 驱动器数：2
- 栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
- 电压-供电：10V ~ 16.6V
- 逻辑电压-VIL，VIH：-
- 电流-峰值输出（灌入，拉出）：170mA，270mA
- 输入类型：RC 输入电路
- 高压侧电压-最大值（自举）：600V
- 上升/下降时间（典型值）：-
- 工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：通孔
- 产品封装：8-DIP（0.300，7.62mm）
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