STF15N60M2-EP技术参数详情：
STF15N60M2-EP是意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh M2-EP产品系列。该器件采用先进的垂直结构技术，核心优势在于实现了600V高耐压与低导通电阻的优异结合。
其关键参数包括：11A的连续漏极电流、378毫欧的低导通电阻（@10V， 5.5A）以及仅17nC的低栅极电荷。这些特性共同确保了器件在导通和开关过程中具有极低的功率损耗。此外，其宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）和TO-220FP封装，使其能够胜任对效率和可靠性要求严苛的工业级应用。
- 型号:STF15N60M2-EP
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220FP
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 600V 11A TO220FP
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:600 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:378 毫欧 @ 5.5A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±25V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 100 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-220FP
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
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