L6571BD技术参数详情：
L6571BD是ST意法半导体推出的一款有源半桥栅极驱动器IC，采用8-SOIC表面贴装封装。该器件专为驱动半桥拓扑中的N沟道MOSFET或IGBT而设计，集成两个同步驱动通道，并支持高达600V的自举电压。
其核心特性包括可通过外部RC网络灵活编程的死区时间控制，有效防止上下管直通；提供170mA（灌）和270mA（拉）的峰值驱动电流，确保开关管的快速导通与关断。芯片工作电压范围为10V至16.6V，工作结温范围宽达-40°C至150°C，集成了高低压侧欠压锁定保护，适用于要求高可靠性的电源管理与电机驱动应用。
- 型号:L6571BD
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:8-SOIC
- 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
- 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 驱动配置:半桥
- 通道类型:同步
- 驱动器数:2
- 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
- 电压 - 供电:10V ~ 16.6V
- 逻辑电压- VIL，VIH:-
- 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:170mA，270mA
- 输入类型:RC 输入电路
- 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
- 上升/下降时间（典型值）:-
- 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
- 供应商器件封装:8-SOIC
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