LET20045C技术参数详情：
LET20045C是ST意法半导体生产的一款N沟道射频LDMOS功率晶体管。该器件设计用于高频、高功率应用，其核心特性是在高达2GHz的工作频率下，能够提供54W的射频输出功率，并具备13.3dB的典型增益，确保了高效的信号放大能力。
器件额定电压为80V，连续漏极电流达12A，在28V/500mA的测试条件下表现出稳定的性能。其M243封装提供了可靠的物理与热学接口。这些参数使其成为构建VHF至2GHz频段内，要求高功率输出与良好线性度的射频功率放大电路的理想选择。
- 型号:LET20045C
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M243
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M243
- 系列:-
- 包装:盒
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:2GHz
- 增益:13.3dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:500 mA
- 功率 - 输出:54W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M243
- 供应商器件封装:M243
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