LET9045技术参数详情：
LET9045是ST意法半导体生产的一款N沟道射频功率LDMOS晶体管。该器件设计用于高频高功率场景，其核心优势在于能够在960MHz频率下提供高达59W的输出功率，同时保持17.5dB的优秀功率增益，显著提升了发射系统的效率和信号强度。
器件采用80V的高额定电压设计，确保了在28V典型工作电压下的高可靠性和耐用性。其9A的额定电流与PowerSO-10RF封装相结合，提供了强大的电流处理能力和优异的热管理特性，适合构建稳定的射频功率放大级。
- 型号:LET9045
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（成形引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:960MHz
- 增益:17.5dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:9A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:59W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条成形引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（成形引线）
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