STL6N2VH5

STL6N2VH5是ST意法半导体STripFET V系列中的一款N沟道功率MOSFET，采用先进的PowerFlat（2x2）封装。其核心优势在于极低的导通电阻（30mΩ @ 3A, 4.5V）和栅极电荷（6nC @ 4.5V），这使其在20V/6A的额定参数下，能实现高效率的功率转换与快速开关。

该器件设计用于逻辑电平驱动（2.5V-4.5V），兼容现代微控制器，并具备宽泛的工作结温范围（-55°C至150°C）。这些特性使其成为空间受限、要求高效率和可靠性的同步整流、负载开关及电机驱动等应用的理想选择。

• 型号:STL6N2VH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（2x2）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tj）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:30 毫欧 @ 3A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 16 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.4W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（2x2）
• 封装/外壳:6-PowerWDFN
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