LET9060F技术参数详情：
LET9060F是ST意法半导体生产的一款N沟道LDMOS射频功率晶体管，采用M250封装。该器件在945MHz频率下可提供高达75W的射频输出功率，并具备18dB的典型功率增益，展现了卓越的功率放大能力。
其核心参数包括80V的漏源击穿电压和12A的连续漏极电流，确保了在高功率应用中的稳健性。器件在28V工作电压和400mA静态电流条件下进行表征，适用于要求高效率与良好线性度的AB类放大器设计。这款晶体管为专业的射频功率放大应用提供了一个高性能的半导体解决方案。
- 型号:LET9060F
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M250
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V M250
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:945MHz
- 增益:18dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:400 mA
- 功率 - 输出:75W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M250
- 供应商器件封装:M250
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