STPSC6H065D技术参数详情：
STPSC6H065D是意法半导体基于碳化硅技术制造的6A、650V肖特基势垒二极管。该器件采用TO-220AC封装，其核心优势在于利用宽禁带半导体特性，实现了传统硅基快恢复二极管无法比拟的性能。
其关键卖点在于彻底消除了反向恢复电荷与反向恢复时间，开关损耗极低，非常适合高频开关应用。同时，它在6A电流下提供1.75V的典型正向压降，并在650V额定电压下保持极低的反向漏电流，在高效导通与可靠阻断之间取得了出色平衡。
- 型号:STPSC6H065D
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-220AC
- 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
- 描述:DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- 技术:SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）:650 V
- 电流 - 平均整流 (Io):6A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.75 V @ 6 A
- 速度:零恢复时间 \> 500mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr):0 ns
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:60 A @ 650 V
- 不同Vr、F 时电容:300pF @ 0V，1MHz
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-2
- 供应商器件封装:TO-220AC
- 工作温度 - 结:-40°C ~ 175°C
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