LET9060S技术参数详情：
LET9060S是ST意法半导体公司生产的一款N沟道射频功率MOSFET，采用LDMOS技术，封装形式为PowerSO-10RF（直引线，带裸露底部焊盘）。该器件专为高频高功率放大设计，核心参数表现突出。
其在960MHz频率下，可提供高达60W的射频输出功率，同时具备17.2dB的高增益，能有效简化发射链路的前级设计。器件在28V测试电压下工作，额定电压达80V，额定电流为12A，确保了在严苛应用环境下的高可靠性和稳定性。这些特性使其成为专业通信基站和射频能源系统末级放大的优选解决方案。
- 型号:LET9060S
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:PowerSO-10RF（直引线）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 28V POWERSO-10RF
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:960MHz
- 增益:17.2dB
- 电压 - 测试:28 V
- 额定电流（安培）:12A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:300 mA
- 功率 - 输出:60W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:PowerSO-10RF 裸露底部焊盘（2 条直引线）
- 供应商器件封装:PowerSO-10RF（直引线）
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