STD80N10F7技术参数详情：
STD80N10F7是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于采用先进STripFET VII技术的DeepGATE产品系列。该器件采用DPAK表面贴装封装，核心电气参数包括100V的漏源击穿电压（Vdss）以及在壳温25°C下达70A的连续漏极电流处理能力。
其技术亮点在于极低的导通电阻与优化的开关特性。在10V栅极驱动下，其导通电阻（Rds(on)）最大值仅为10毫欧（@40A），配合最大45nC（@10V）的低栅极电荷，共同确保了在高频开关应用中实现低传导损耗与低开关损耗的平衡。宽达-55°C至175°C的工作结温范围和85W的功率耗散能力，进一步保障了其在高温、高功率环境下的可靠运行。
- 型号:STD80N10F7
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:DPAK
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):70A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10 毫欧 @ 40A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3100 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:DPAK
- 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
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