LET9180技术参数详情：
LET9180是ST意法半导体生产的一款LDMOS射频功率晶体管，采用M246封装。该器件专为860MHz左右的高功率应用优化，能够在32V工作电压下提供高达175W的射频输出功率，并具备20dB的典型增益，有效降低了前级驱动电路的设计复杂度。
其核心优势在于高功率处理能力与高耐压特性的结合，额定电压达80V，额定电流为24A，确保了在严苛工作环境下的稳定性和可靠性。这款晶体管主要面向需要大功率射频放大的专业领域，是构建高效、稳健射频前端功放级的经典选择。
- 型号:LET9180
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:M246
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > RF FET，MOSFET
- 描述:RF MOSFET LDMOS 32V M246
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 技术:LDMOS
- 配置:-
- 频率:860MHz
- 增益:20dB
- 电压 - 测试:32 V
- 额定电流（安培）:24A
- 噪声系数:-
- 电流 - 测试:500 mA
- 功率 - 输出:175W
- 电压 - 额定:80 V
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:-
- 封装/外壳:M246
- 供应商器件封装:M246
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