STU7N60DM2

STU7N60DM2是ST意法半导体推出的一款N沟道功率MOSFET，隶属于其高性能MDmesh DM2产品系列。该器件设计用于高压开关应用，其核心优势在于结合了600V的高漏源电压（V_DSS）与低至900毫欧的导通电阻（R_DS(on)），在提供强大阻断能力的同时，有效降低了导通损耗。

此外，其极低的栅极电荷（Q_g，最大7.5nC）和输入电容（C_iss）特性，使其能够实现快速、高效的开关操作，从而减少开关损耗并提升系统整体能效。该器件采用坚固的I-PAK通孔封装，支持高达6A的连续漏极电流和150°C的最大结温，确保了在工业级应用中的高可靠性和耐用性。

• 制造商产品型号：STU7N60DM2
• 制造商：ST意法半导体（STMicroelectronics）
• 描述：MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：MDmesh DM2
• 零件状态：有源
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：600V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：6A（Tc）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：900 毫欧 @ 3A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：7.5nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±25V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：324pF @ 100V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：60W（Tc）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：通孔
• 器件封装：I-PAK
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