LFTVS10-1F3技术参数详情：
LFTVS10-1F3是ST意法半导体LFTVS系列的一款瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用4-UFBGA Flip-Chip封装。该器件设计用于为低压电子线路提供高效的ESD及瞬态过压保护，其核心特性包括8V的反向断态电压、13V的最大箝位电压以及1A的峰值脉冲电流处理能力。
其优势在于将350W的峰值脉冲功率吸收能力与仅200pF的低电容值相结合，这使其特别适用于保护高速数据接口，能在有效抑制电压尖峰的同时，最大限度地减少对信号完整性的影响。紧凑的表面贴装封装满足了现代高密度PCB设计的需求。
- 型号:LFTVS10-1F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:4-覆晶（0.77x0.77）
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 8VWM 13VC 4FLIPCHIP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:8V
- 电压 - 击穿（最小值）:10V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:13V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):1A（8/20s）
- 功率 - 峰值脉冲:350W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:200pF @ 1MHz
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:4-UFBGA，FCBGA
- 供应商器件封装:4-覆晶（0.77x0.77）
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