LFTVS18-1F3技术参数详情：
LFTVS18-1F3是ST意法半导体LFTVS系列中的一款表面贴装TVS保护二极管，采用4-UFBGA (Flip-Chip)封装。其核心设计旨在为通用信号线路提供高效的瞬态电压抑制，关键参数包括12V反向工作电压、16V最小击穿电压以及19V的最大箝位电压。
该器件具备350W的峰值脉冲功率处理能力，同时保持了仅175pF的低电容特性，这使得它在抑制高压浪涌的同时，能最大限度地减少对高速信号完整性的影响。其紧凑的封装形式非常适合空间受限的现代电子设备，为接口提供可靠的ESD和浪涌保护。
- 型号:LFTVS18-1F3
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:4-覆晶（0.77x0.77）
- 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
- 描述:TVS DIODE 12VWM 19VC 4FLIPCHIP
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 类型:齐纳
- 单向通道:1
- 双向通道:-
- 电压 - 反向断态（典型值）:12V
- 电压 - 击穿（最小值）:16V
- 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:19V
- 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):5A
- 功率 - 峰值脉冲:350W
- 电源线路保护:无
- 应用:通用
- 不同频率时电容:175pF @ 1MHz
- 工作温度:-
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:4-UFBGA，FCBGA
- 供应商器件封装:4-覆晶（0.77x0.77）
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