STW9NK90Z技术参数详情：
STW9NK90Z是ST意法半导体SuperMESH系列中的一款高压N沟道功率MOSFET，采用TO-247-3封装。其核心优势在于结合了900V的高漏源电压（Vdss）与1.3欧姆的低导通电阻（Rds(on)），有效降低了高压应用中的传导损耗。
该器件在25°C壳温下可支持8A的连续漏极电流，最大功率耗散达160W，工作结温范围宽至-55°C ~ 150°C，确保了高功率密度下的可靠运行。其栅极驱动电压为10V，栅极电荷（Qg）低至72nC，有助于实现高效率的快速开关，适用于要求严苛的功率转换场景。
- 型号:STW9NK90Z
- 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
- 封装:TO-247-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:MOSFET N-CH 900V 8A TO247-3
- 包装:管件
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）:900 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):8A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.3 欧姆 @ 3.6A，10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:72 nC @ 10 V
- Vgs（最大值）:±30V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2115 pF @ 25 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
- 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:通孔
- 供应商器件封装:TO-247-3
- 封装/外壳:TO-247-3
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